采用培养箱培养方法，研究了喷施不同浓度植物生长素Spd，对不同浓度Cd2+胁迫下宽叶香蒲叶片和地下茎中活性氧、脂质过氧化，抗氧化系统生理指标的影响。结果表明，单一镉处理可以诱导宽叶香蒲叶片和地下茎O■■产生速率 、H2O2、MDA和GSH含量的增加；外源Spd促进叶片和地下茎中GSH含量的上升，抑制活性氧和MDA的产生，且0.25 mmol·L-1 Spd 比0.5 mmol·L-1 Spd处理更有效地降低了MDA含量。镉胁迫不同程度地提高了叶片和地下茎CAT、GPX、GR和茎部SOD的活性，而使SOD活性下降；叶片喷施Spd可进一步提高叶片和地下茎中GR活性以及地下茎的SOD、CAT、GPX活性，但不能缓解镉胁迫下叶片SOD活性的下降，叶片CAT的活性变化随Spd和Cd2+浓度的不同而各异。推测：外源Spd可能主要通过提高GR活性和抗氧化剂（GSH和内源多胺） 的含量来提高宽叶香蒲对镉胁迫的抗性。